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元件参数资料
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参数目录39844
> SI4435DY MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
型号:
SI4435DY
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SI4435DY PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告
Mold Compound Change 12/Dec/2007
产品目录绘图
Power MOSFET, 8-SOP, SO-8
标准包装
1
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
8.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
20 毫欧 @ 8.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
24nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1604pF @ 15V
功率 - 最大
1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOICN
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1604 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SI4435DYCT
SI4435DYCT-ND
SI4435DYFSCT
查看SI4435DY代理商
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